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반도체용 EDI 정수 플랜트는-일반적으로 초순수(UPW) 시스템의 일부입니다. 이러한 맥락에서 EDI는 RO 다음의 "이온{2}}제거 연마 단계"로서 매우 낮은 전도도에 도달하도록 도와줍니다.{3}}추가 UPW 연마는 TOC, 실리카/붕소, 용존 가스, 박테리아 및 입자를 제거하여 제조 요건을 충족합니다.

EDI가 반도체의 표준인 이유

기존의 이온{0}교환 수지 베드는 몇 가지 중요한 기술적 이점으로 인해 반도체 공장에서 EDI로 대체되고 있습니다.

이온 누출 제로: 이온이 고갈되면서 이온을 '누설'할 수 있는 표준 수지 베드와 달리 EDI는 수지가 전기장에 의해 지속적으로 재생되기 때문에 일정하고 순도가 높은 흐름을 제공합니다.{0}}
화학물질이 없는-환경: 반도체에는 놀라울 정도로 안정적인 환경이 필요합니다. EDI는 위험한 산과 부식제 대신 전기를 사용하므로 "클린룸" 공기를 오염시킬 수 있는 화학 연기나 우발적인 유출 위험을 제거합니다.
낮은 TOC 및 실리카 제거: EDI는 제거하기 매우 어렵지만 반도체 수율을 파괴하는 실리카($SiO_2$) 및 붕소와 같은 약하게 이온화된 종을 제거하는 데 매우 효과적입니다.
모듈식 확장성: 반도체 "팹"은 규모가 엄청납니다. EDI 시스템은 모듈식이므로 엔지니어는 작동 중인 리소그래피 또는 에칭 도구의 수에 맞게 물 생산량을 늘리거나 줄일 수 있습니다.

일반적인 반도체용 EDI 정수장-

반도체 시설에서 EDI 공장은 RO(역삼투압) 단계와 필터의 최종 사용 지점--사이에 있는 연마 루프의 '핵심'입니다.

1차 처리(Double{0}}Pass RO): 대량 오염물질을 99% 제거합니다. 두 번째 RO 패스의 고품질 투과수는 EDI의 공급수 역할을 합니다.
탈기: 용해된 $O_2$ 및 $CO_2$를 제거합니다. 용해된 가스가 웨이퍼 표면에 기포를 발생시키고 EDI의 효율성을 방해할 수 있기 때문에 이는 매우 중요합니다.
EDI 모듈: 물은 15–18 M$\\Omega$·cm로 연마됩니다. 전기장은 이온-교환 수지가 영구적으로 "충전된" 상태를 유지하도록 보장합니다.
UV 및 한외여과(UF): 18.5nm 또는 254nm UV 파장에서 최종 "연마"하여 미량 유기물(TOC)과 UF 막을 파괴하여 남아 있는 -미크론 미만 입자를 포착합니다.

가장 중요한 핵심 설계 포인트

EDI에 대한 공급은 매우 깨끗해야 합니다. 낮은 경도, 낮은 실리카 스케일링 위험, 낮은 산화제(염소), 낮은 SDI.
탈기(CO2 제거)는 저항성을 향상시키고 EDI 부하를 줄이는 경우가 많습니다.
재료 및 위생: UPW 루프는 일반적으로 고순도 재료(예: 사양에 따라 PVDF/PFA/EP-SS 등급)를 사용하고 지속적인 재순환을 통해 오염을 방지합니다.
모니터링: 저항률, TOC, 실리카, DO, 입자 수, 유량/압력, 온도-및 경보/추이.

이 4가지 항목을 알려주시면 적합한 반도체용 EDI 정수장을 추천해 드릴 수 있습니다-: